G8370-81 InGaAs PIN Photodiode کاهش وابستگی به قطبی سازی PDL

توضیحات محصول:

G8370-81 InGaAs PIN Photodiode کاهش وابستگی به قطبی سازی PDL

ویژگی ها:

PDL پایین ((از دست دادن وابسته به قطبی شدن)

فوتودیود InGaAs PIN G8370-81 دارای PDL پایین (از دست دادن وابسته به قطبی سازی) ، مقاومت بزرگ در برابر شیتر و نویز بسیار پایین در 1.55م م

ویژگی های محصول

PDL پایین ((از دست دادن وابسته به قطبی شدن)

● کم صدا، کم جریان تاریک

● فضای عکاسی بزرگ

● ناحیه حساس به نور:φ1 میلی متر

قدرت معادل سر و صدا (قیمت معمولی) 2×10-14 W/ hz1/2

شرایط اندازه گیری TYP.TA =25°C، حساسیت به نور: λ=λp، جریان تاریک: VR=1 V، فرکانس قطع:VR=1 V، RL=50ω، -3 dB، ظرفیت ترمینال: VR=1 V، F=1 MHz، مگر اینکه خلاف آن ذکر شده باشد

مشخصات: