YJJ WF200S سنسور فشار فرقی MEMS ساختاری سیلیکون با محدوده 0 - 10 kPa برای نظارت پزشکی استفاده می شود

توضیحات محصول:

WF200S سنسور فشار فرقی MEMS با ساختار سیلیکونی با محدوده 0 - 10 kPa برای نظارت پزشکی استفاده می شود

ویژگی ها:

سنسور فشار WF200S یک سنسور فشار دیفرانسیل MEMS با ساختار کامل سیلیکون است.
WF200S طراحی پل کامل Hewitt را اتخاذ می کند. در زیر منبع برق استاندارد کار می تواند اندازه گیری دقیق فشار را از 0 تا 10 kPa (قابل سفارشی سازی برای چندین محدوده) ،و رابطه خطی خوبی با ولتاژ خروجی دارد.
ژنراتور فشار سری WF200S یک ساختار نوزل هوای دو سنسور را اتخاذ می کند و در فرمت SOIC 16 بسته بندی شده است.
WF200S برای دستگاه های پزشکی مختلف مانند مانیتور فشار خون، دستگاه های تنفسی، اندازه گیری عملکرد ریه، تجهیزات همودیالیز و آشکارسازان اسکلروز عروقی قابل استفاده است.
سنسور فشار دیفرانسیل WF200S از سفارشی سازی طیف اندازه گیری متعدد پشتیبانی می کند.
محدوده جریان: 5KPa، 10KPa، 20KPa، 40KPa، 100KPa، 200KPa، 300KPa.

محصول WF200S دارای ویژگی های کلیدی زیر است:
حساسیت بالا
قابلیت اطمینان بالا
دقت بالا

ثبات بالا
محدوده فشار: 0 تا 10 kPa (فشار فشار)
منبع برق ولتاژ ثابت: 0V تا 10V
منبع برق جریان ثابت: 0mA تا 2mA
محدوده دمای کار: -40 تا +125°C
اندازه: 10.3 × 10.3 × 10.3 میلی متر

نام پارامتر شرایط خارجی حداقل متداول حداکثر ملاحظات واحد

ویژگی های کلی

محدوده فشار - 0 ~ 10؛ 0 ~ 40؛ 0 ~ 200 kPa 1

فشار اضافه بار TA = 25°C 2X FS

فشار انفجار TA = 25°C > 3X FS

دمای کار -20 تا +85 درجه سانتیگراد

دمای ذخیره سازی -40 تا +125 °C

سازگاری با رسانه ها: هوا و گاز های غیر خوردنی

ویژگی های الکتریکی

ولتاژ تحریک TA = 25°C 5 تا 10 ولت

جریان تحریک TA = 25°C 1 تا 2 mA

مقاومت بازوی پل TA = 25°C 4, 5, 6 kΩ 2

تعویض نقطه صفر TA = 25°C -15 تا 0 تا 15 mV

خروجی در مقیاس کامل TA = 25°C

45، 60، 75 mV محدوده 10kPa

60، 75، 90 mV محدوده 40kPa

70، 90، 110 mV 200kPa

خطی بودن TA = 25°C -0.3 تا 0.3٪ VFS بهترین خط مستقیم

ضریب دمای نقطه صفر TA = 25°C -0.08 تا 0.08٪ VFS

ضریب دمای خروجی در مقیاس کامل TA = 25°C -0.27 تا -0.22 تا -0.17٪ VFS / °C تحریک فشار ثابت

ضریب دمای خروجی در مقیاس کامل TA = 25°C -0.03 تا 0.03٪ VFS /°C تحریک جریان ثابت

ضریب دمای مقاومت TCR TA = 25°C 1600 تا 2000 ppm/°C

هیسترسی فشار TA = 25°C -0.1 تا 0.05 تا 0.1٪ VFS

هیستریز دمایی TA = 25°C -0.3 تا 0.3٪ VFS

مشخصات: